CRF等離子蝕刻機ICP蝕刻技術應用廣泛SiC刻蝕應用：
         反應燒結(jié)碳化硅(RB-SiC)是一種新型陶瓷材料，其具有性能好、比剛度高、導熱性大、膨脹系數(shù)小的特點.隨著光學技術的快速發(fā)展，光學系統(tǒng)正朝著大口徑、低損耗和輕量化的方向發(fā)展，光學元件具有高分辨率、廣闊的視野和高質(zhì)量的表面形態(tài)RB-SiC因其優(yōu)越的性能，材料獲得了廣泛應用，這會對材料表面的光學質(zhì)量提出了更高的要求。目前，加工工藝目前正在加工SiC有許多方法，主要包含電化學腐蝕、機械加工、超聲波加工、激光蝕刻和等離子體干燥蝕刻。等離子體蝕刻機的干蝕技術主要包含反應離子蝕刻(RIE)，電子回旋共振(ECR)感應耦合等離子體(ICP)等。ICP蝕刻設備具有選擇性和各向異性結(jié)構，操作簡單，控制方便，因此，ICP蝕刻技術應用廣泛SiC蝕刻應用。

       CRF等離子蝕刻機ICP主要采用蝕刻技術SiC半導體器件和微機電系統(tǒng)(MEMS)器件的加工制作，等離子蝕刻機刻蝕表面質(zhì)量，提升SiC微波功率器件的性能質(zhì)量。ICP蝕刻技術完整的蝕刻過程可分為三個步驟：①吸附蝕刻材料；②形成揮發(fā)物；③解吸附。它包括兩個過程：化學和物理：在化學過程中，蝕刻氣體通過電感耦合產(chǎn)生活性基、亞穩(wěn)態(tài)粒子和電子，中性粒子擴散到基底表面，與蝕刻材料表面的原子發(fā)生化學反應，產(chǎn)生揮發(fā)性物質(zhì)。這些副產(chǎn)品被真空系統(tǒng)從腔室中提取，以實現(xiàn)氣體化學蝕刻。